Explorando a Assimetria do Dimensionamento de Transistores CMOS em Portas Complexas

Autores

DOI:

https://doi.org/10.5902/2448190485304

Palavras-chave:

Engenharia de Computação, Dimensionamento, CMOS

Resumo

Para projetar portas lógicas com eficiência, é crucial dimensionar os transistores adequadamente, buscando otimizar área, atraso de propagação e consumo de potência. Para dimensionar os transistores, existem na literatura técnicas amplamente utilizadas, contudo, acredita-se que um modelo alternativo de dimensionamento possa oferecer melhores resultados para as portas complexas. Neste contexto, o presente trabalho explorou um dimensionamento assimétrico de transistores em portas complexas, resultando em ganhos no atraso de propagação em portas lógicas com grandes cargas de saída.

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Biografia do Autor

Vítor de Melo Mandowski, Universidade Federal de Pelotas

Vítor de M. Mandowski
vdmmandowski@inf.ufpel.edu.br
Universidade Federal de Pelotas
Orcid: https://orcid.org/0009-0005-5257-8407
Lattes: https://lattes.cnpq.br/3785238748883615

Henrique C. Kessler, Universidade Federal de Pelotas

Henrique C. Kessler
hckessler@inf.ufpel.edu.br
Universidade Federal de Pelotas
Orcid:  https://orcid.org/0000-0002-1840-3794
Lattes: http://lattes.cnpq.br/3353616557161929

Leomar S. da Rosa Júnior, Universidade Federal de Pelotas

Leomar S. da Rosa Júnior
leomarjr@inf.ufpel.edu.br
Universidade Federal de Pelotas
Orcid: https://orcid.org/0000-0002-7150-5685
Lattes: http://lattes.cnpq.br/1423810014480514

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Publicado

2023-12-02

Como Citar

de Melo Mandowski, V., Kessler, H. C., & Rosa Júnior, L. S. da. (2023). Explorando a Assimetria do Dimensionamento de Transistores CMOS em Portas Complexas. Revista ComInG - Communications and Innovations Gazette, 7(1), 113–122. https://doi.org/10.5902/2448190485304

Edição

Seção

Artigos PET