Propriedades eletrônicas de semicondutores, uma pequena introdução

Autores

  • Paulo Sérgio Guimarães Departamento de Física, Centro de Ciências Naturais e Exatas - CCNE Universidade Federal de Santa Maria - UFSM, Santa Maria, RS.

DOI:

https://doi.org/10.5902/2179460X26311

Resumo

O objetivo deste texto é apresentar uma resenha das propriedades eletrônicas de materiais semicondutores voltada principalmente para estudantes de cursos de graduação em física ou áreas afins e que estejam interessados em tomar contato com os aspectos microscópicos que determinam essas propriedades. Será oferecida uma seleção de tópicos cobrindo boa parte dos aspectos que formam o âmago desta ciência.

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Referências

BARDEEN J., BRATTAIN W. H., Phys. Rev. 74, 230(1948).

BARDEEN J., BRATTAIN W. H., Phys. Rev. 75, 1208(1949).

BASSANI F., IADONIZIG., e PRECIOZI B., Rep. Preg. Phys. 37, 1099(1974).

BASSANI F., PASTORI PARRAVICINE G., Electronic States and Optical Transitions in Solids (Pergamon, Oxford) (1975).

BOURGOVIN J., LANNOO M., Point defects in Semiconductors II: Experimental Aspects (Springer-Verlag, Berlin) (1983).

COULSON C. A., Radiation Damage and Defects in Semiconductors, Conference Series no. 16, J. E. Whitehouse ed. (Institute of Physics, London). p. 249 (1972).

CRAWFORD J. H., JR., e SLIFKIN L. M. editores, Point Defects in Solids, VoI. 2, (Plenum, New York) (1975).

DEAN P. J., Trans. Mel. Soc. of AIME, 242, 1384(1968).

DEAN P. J, Prog. Solid State Chem., 8, 1(1973).

FOWLER W. B. editor, Physics. of Color Centers. (Academic, New York) (1968).

GRIMMEISS G. H., Ann. Rev. Matter Sci. 7, 341 (1977).

GUIMARÃES P. S., PARADA N. J., e FERREIRA L. G., Sol. Stale Comm.27, 137(1978).

KITTEL C., Quantum Theory of Solids (willey, New York) (1963).

KITTEL C, Introduction to Solid State Physics, 5ª ed. (Willey, New York) (1976).

KOHN W., in Solid State Physics, vol. 5, 257(1957).

LANNOO M., e BOURGOVIN J., Point Defects in Semiconductors I: Theoretical Aspects (Springer-Verlag, Berlin) (1981).

MILLER G. L., LANG D. V., e KIMERLING L.C., Annu. Rev. Matter Sci. 7, 377(1977).

MILNES A. G., Deep Impurities in Semiconductors (Willey, New York)(1973).

PANTELIDES S. T., Rev. Mod. Phys. 50, 797 (1978).

PRENER J. S, e WILLIAMS F. E., Phys. Rev. 101, 1427 (1956).

REBANE K K., Impurity Spectra of Solids (Plenum, New York) (1970).

QUEISSER H. J., Festkorperprobleme 11, 45(1971).

REISS H., FULLER C. S., e MORIN F. J, Bell Syst. Tech. J. 35, 535 (1956).

ROlTSIN A. S., Sov. Phys. Semicond. 8, 1(1974).

SHAFFER J., e WILLIAMS F. E., Physics of Semiconductors pp. 811-818 (Dunod, Paris) (1964).

SHKLOVSKY B. I., e EFROS A. L., Electronic Properties or Doped Semiconductors (Springer-Verlag, Berlin) (1983).

SHOKLEY W., Bell Syst. Tech. J. 28, 453 (1949).

SHOKLEY W., Electrons and Holes ln Semiconductors (Van Norstrand, New York) (1950).

DA SILVA C. A., III Encontro Regional de Atualização em Física.

WANNIER G., Phys. Rev. 52, 191 (1937).

WATTS R. K., Point Defects in Solids (Willey, New York) (1977).

WILLIAMS F. E., J. Phys. Chem. Solide 12, 265 (1960).

WILLIAMS F., Phys. Status Solidi 25, 493 (1968).

WILSON A. H., Proc. R. Soc. A 134, 277 (1932).

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Publicado

1992-12-14

Como Citar

Guimarães, P. S. (1992). Propriedades eletrônicas de semicondutores, uma pequena introdução. Ciência E Natura, 14(14), 15–28. https://doi.org/10.5902/2179460X26311